本装置由公司和武汉工程大学联合研制。由微波源、真空系统、供气系统、微波传输及微波谐振腔等部分组成。适合大学近现代物理、材料、化学等领域进行微波CVD原理与方法的教学、研究，金刚石与类金刚石薄膜制备实验及科学研究，以及用于生长碳纳米管、氮化硅、碳化硅等超硬膜，具有生长速度快、操作简便、性价比高等优点。同时可完成等离子体刻蚀加工实验、微波等离子体表面改性等实验。

全国高校物理实验仪器评比三等奖

主要技术特点

一般理论性验证的微波CVD设备，往往实际成膜困难或成膜品质很难控制。本装置融入了金刚石薄膜制备领域多位专家二十多年的深厚经验，性能优异，具有多项独特技术，适应性广，经北京大学等多家国内著名高校使用与验证，为一高效微波等离子体化学气相沉积制备设备。

主要技术参数：

1、薄膜沉积室：Φ50×H300 mm石英玻璃真空室；

2、0～800W连续可调输出；频率：2.45GHz；

3、微波传输模式：BJ26波导沿TE10模式传输；

4、微波电源：**输出功率1000W；

5、压强测量：数显压阻真空计；

6、电源电压：AC 220V 50Hz；

7、用户需自备高纯氢气（99.99%）、高纯甲烷（99.99%）、硅片、超声波清洗机等；

8、工业冷水机（配套附件）

1）标准制冷量：2941 Kcal/h；

2） 输入功率：1.29KW。