适用于实验室制备金属单质膜、半导体膜、钙钛矿太阳能电池、锂电池、有机膜等，也可用作教学及生产线前期工艺试验等。

可镀制低熔点金属及合金材料薄膜，单层/多层/复合膜（Au, Ag, Al, Ca, Cu, Mg, Cr, Ni等）；镀制非金属/化合物等材料薄膜（Mo03,LiF）等；有机材料等蒸发；太阳能电池、LED的研究和实验。

主要技术参数

1、薄膜沉积室：约Φ250×H300mm，304不锈钢焊接腔体；

2、真空系统

2.1抽气系统

1）采用复合分子泵+直联旋片泵作为真空抽气系统；

2）主抽泵：采用分子泵，额定转速57000rpm，抽气速率：260L/S；

3）前级泵：DRV-16机械泵及电磁阀  抽速：4L/S；

4）主抽阀： CCQ -100（CF）超高真空气动闸板阀； 

5）前级、旁抽阀：GDQ-J25气动挡板阀；  

*真空系统可以升级为进口分子泵和涡旋干泵。

2.2真空测量

1）数显复合真空计：测量范围1×10⁵～1×10^-5Pa；

*真空测量可以升级为进口全量程冷阴极真空计。

2.3系统性能指标：

1）极限真空度优于6.7×10^-5Pa； (空载经烘烤除气后）；

2）恢复真空：从大气抽至6.7×10^-4Pa＜45min；

3）真空室漏率：关机12小时真空度＜5Pa。（新设备空载）。

3、样品台（加热和水冷只能选择一种，不可兼容）

1）抽屉式结构**可装载3英寸样品（样品盘直径约80mm；

2）可以根据客户样品形状和大小定制样品托（不超过上述尺寸）；

3）样品台旋转：转速0-30rpm连续可调；手动升降，升降高度0～80mm；

4）样品台可加热，**温度300℃，温度控制精度±0.5℃，可设定升温斜率。加热区内，温度均匀性±5℃。

*标准基片台配夹具，方便装卡不同规格的基片；

*样品台可选择水冷，采用基片台背板直接水冷形式。

4、热蒸发单元

4.1金属蒸发源

1）水冷紫铜电极：3根，组成2组蒸发舟，电极中心间距80mm；

2）蒸发电源：采用恒压、恒流真空镀膜电源，**输出功率2.4Kw（12V/200A），电流调节精度0.1A，电压调节精度0.01V，数量：1台

*可选进口程控电源。

4.2有机物蒸发源

采用束源炉式加热蒸发结构，石英坩埚容量2CC，角度可调倾斜指向基片台，保证镀膜均匀性及有机蒸发材料使用效率，数量：2套；

1）束源炉容量：2cc 采用氧化铝陶瓷支架，Ta加热丝；

2）采用K型热电偶测温、**加热温度：650度，温度控制精度±0.3度；

3）束源炉带角度旋转，转动角度正负30度；

4）束源炉电源：10V30A稳压，稳流电源，带控制输入。

5、速率/膜厚监测仪（选配、报价不含）

可选Inficon SQM-160 速率/膜厚监测仪，配1个水冷探头，在线监测蒸发速率与达到膜厚关闭基片挡板；

传感器频率范围：4.0MHz至6.0MHz，频率分辨率：±0.12Hz。

6、控制单元

采用PLC+液晶屏控制方式，以方便用户进行镀膜工艺参数的摸索。

7、工业冷水机（选配、报价不含）

1）标准制冷量：2941 Kcal/h；    2） 输入功率：1.29 kw。