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物理仪器

MiniLab-30T PVD 薄膜沉积系统
发布时间:2024-01-04浏览次数:48


广泛应用于高校、科研院所制备高质量光学、合金、电学、导电等功能薄膜、蒸镀电极等,特别适合OPV/钙钛矿/无机薄膜太阳能电池、半导体、有机EL、OLED显示研究开发领域。

1、薄膜沉积室:

真空腔室、连接管道和法兰均采用SUS304不锈钢,材料致密放气量小;   腔壁厚 5mm,腔体上、下底板厚度约20mm。

1)沉积室尺寸: D型圆筒形,尺寸约ф350×H450mm,前开门结构;

2)前门结构:采用铰链、铝制前门,手动,上下2个把手,胶圈密封。

2、真空系统

2.1抽气系统

1)采用复合分子泵+直联旋片泵作为真空抽气系统;

2)主抽泵:分子泵抽速≥600L/S,额定转速36000rpm,氮气压缩比≥109

3)前级泵:采用DRV-24机械泵及电磁阀,抽速:6L/S;

4)主抽阀: CCQ-150A(CF)超高真空电动闸板阀;

5)前级、旁抽阀:GDQ-J25气动挡板阀;

*真空系统可以升级为进口分子泵和涡旋干泵。

2.2真空测量

1)数显复合真空计:测量范围:1×105~1×10-5Pa;

*真空测量可以升级为进口全量程冷阴极真空计。

2.3系统性能指标:

1)极限真空度:优于5×10-5Pa (空载经烘烤除气后);

2)恢复真空:从大气抽至6.7×10-4Pa<45min;

3)真空室漏率:关机12小时真空度<5Pa。(新设备空载)

3、样品台

1)抽屉式结构可装载**4英寸样品(方片尺寸100×100mm);

2)可以根据客户样品形状和大小定制样品托(不超过上述尺寸);

3)样品台旋转:转速0~30rpm连续可调;

4)样品台可加热,**温度600℃,温度控制精度±0.5℃,可设定升温斜率,加热区内,温度均匀性±5℃;

5)样品台下方设置气动基片挡板

*标准基片台配夹具,方便装卡不同规格的基片;

*样品台可选择水冷,采用基片台背板直接水冷形式;

*加热和水冷只能选择一种,不可兼容;

*基片台可按照用户要求个性化定制。

4、金属蒸发源

1)水冷紫铜电极6根:组成四组蒸发舟;可自由更换蒸发源为舟式源(钨舟、钼舟)、挂丝源(钨绞丝、钨篮)或坩埚源(用于有机材料和粉状材料的蒸发);

可蒸发金属:Au,Ag,Cu,AL(采用陶瓷坩埚)等低熔点金属;

2)蒸发电源:采用恒压、恒流真空镀膜电源,**输出功率2.4Kw(12V/200A),电流调节精度0.1A,电压调节精度0.01V,数量:2台

*可与膜厚仪(Inficon SQC-310)联动,控制蒸发速率和膜厚;

*可升级为进口程控电源,

5、速率/膜厚监测仪(选配、报价不含)

可以选择Inficon SQM-160速率/膜厚监测仪,配1个水冷探头。在线监测蒸发速率与达到膜厚关闭基片挡板

传感器频率范围:4.0MHz至6.0MHz,频率分辨率:±0.12Hz;

*可以选择增加一个膜厚仪探头;

*可以选择Inficon SQC-310或同功能国产薄膜镀层控制仪,可与蒸发电源形成程闭环控制;控制蒸发速率与*终膜厚。

频率范围:4.0 MHz至6.0 MHz,厚度显示范围:0.0 至 99.999 KÅ

厚度显示分辨率:1 Å,速率显示范围:0.0 至   99.9 Å /秒;

6、控制单元

电气控制系统采用PLC+液晶屏控制方式;

*可选择手动按钮继电器逻辑控制。

7、工业冷水机(选配、报价不含)

1)标准制冷量:2941 Kcal/h;    2)输入功率:1.29 kw。


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