该系统兼容直流和射频溅射源，可溅射金属、非金属及化合物薄膜(如：ITO)等；广泛应用于科研院所、实验室制备单层或多层薄膜，以及新材料、新工艺研究。

主要技术参数

1、溅射腔体：约Φ250×H300mm；304不锈钢焊接腔体，圆柱式，前开门配观察窗；后置抽气系统；

2、真空系统

2.1 抽气系统

1）机械泵+分子泵两级真空系统；

2）前级泵：采用DRV-16机械泵及电磁压差式充气阀，抽速：4L/S；

3）主抽泵：分子泵转速 72000rpm， 极限压强：5×10-7Pa；

4）主抽阀：CC-63 超高真空电动闸板阀，用于分子泵与沉积室隔离；可调节分子泵抽速从而可以降低工艺气体流量，有利于稳定工艺气压；

5）旁抽、前级阀门：GDC-J16；

6）放气阀：电磁截止阀（DJ2C-6）用于真空室解除及真空充气使用。

*真空系统可以升级为进口分子泵和涡旋干泵。

2.2 真空测量：全量程数显复合真空计，测量范围：1×105～1×10-5Pa；

*真空测量可以升级为进口全量程冷阴极真空计；

*建议增加一个进口薄膜电容真空计，满量程0.1Torr。

2.3系统性能指标

1）极限真空度：优于7.5×10-5Pa（空载经烘烤除气后）；

2）恢复真空：从大气抽至8×10-4Pa＜45分钟；

3）真空室漏率：关机12小时真空度＜5Pa（新设备空载）；

4、磁控溅射靶（安装2个磁控溅射靶）

1）磁控溅射靶磁路模块化设计，靶材直接水冷；磁铁不泡水，避免磁铁腐蚀退磁；磁路模块化，方便不同应用随时更换；

2）靶材大小为直径50.8mm，建议厚度≤5mm，靶材利用率超过40%；

3）镀膜方式：由下往上，共焦溅镀；

4）镀膜均匀性：3英寸范围内薄膜厚度均匀性优于±5%；

*可根据需求配置磁控溅射靶数量或者选用进口品牌。

5、样品台

1）样品台：抽屉式结构可装载**3英寸基片托；

2）样品台旋转：转速0-30rpm连续可调；步进电机控制，转动平稳；

3）样品台加热：采用数字温控仪，**温度300℃，自动控温及数字显示，精度±0.5℃，可设定升温斜率。加热区内，温度均匀性±5℃；

4）样品台下方设置气动基片挡板；

6、溅射电源

1）直流溅射电源：**输出功率：500W；

2）射频电源：功率300W，频率13.56MHz，数量：1套；

7、工艺气路：质量流量计，调节范围：0～200sccm一路；

*可根据需求配置气源数量或者选用进口品牌。

8、控制单元：采用PLC+触摸屏控制，可实现自动一键式抽真空；

9、工业冷水机（选配，报价不含）

1）标准制冷量：2941 Kcal/h；    2） 输入功率：1.29 kw。

用气要求：腔体报空气体N2，工艺气体Ar，纯度：99.99%以上。