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物理仪器

DH-GCVD-A 石墨烯化学气相沉积系统
发布时间:2024-01-04浏览次数:48


该系统主要为高等院校,科研院所等单位的实验室提供专业的石墨烯生长设备,是一套完备的石墨烯制备系统,工作在常压气氛或真空条件,通过控制,可以在10-3Torr~760 Torr之间的任意气压下进行石墨烯的生长。既可以生长出六边形的石墨烯单晶,也可以生长出花瓣状的石墨烯的单晶。兼容真空及常压两种主流的生长模式。

主要技术参数:

1、炉膛材料采用进口陶瓷纤维,温场均衡、表面温度低、升温速率快、节能等优点;

2、电热元件采用进口高阻合金,表面负荷高,发热速度快;

3、炉体两端采用不锈钢密封法兰,耐高温、耐腐蚀;

4、保护管采用进口石英管;炉管尺寸:外径约为60mm×1000mm;

5、炉体采用双层空气隔热技术,配有自动冷却风扇,降低炉体外壳温度;

6、采用进口50段程序控温,控温精度±1℃,移相触发、可控硅控制;

7、通入气体种类:氮气、氢气、甲烷等;

8、温度范围:室温至1050℃以上;

9、气体流量分别为(0-200sccm 2路),甲烷(0-100sccm)和(0-500sccm)

10、进气口:采用国际标准双卡套接头;

11、真空系统: 4L/S机械泵+FF160/620分子泵;

12、极限真空:6.7×10-5 Pa;恢复真空:5×10-3Pa;油雾过滤。


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