本装置由我公司和中国科学院材料物理重点实验室联合研制，由温度控制系统、真空系统和单晶炉炉体等部分组成。

主要实验内容

1、制备金属氧化物类单晶，如SrMoO3等；

2、制备氧化物高温超导体，如钇钡铜氧等；

3、制备非氧化物单晶，如单晶硅、单晶碳化硅等；

4、在1550℃以下大气、真空或气氛保护下进行单晶生长、材料热处理、固相反应材料合成等。

主要技术特点

1、一机多用，可开设多个综合性、研究性实验：既可制备氧化物类单晶，又可制备非氧化物类或厌氧类单晶，具有很高的性能价格比；

2、采用特殊的做炉膛保温材料，具有密度小，保温性能好等特点；

3、采用抽真空结合保护气氛，既可以抽真空，又可以通入不同的气体；

4、温度采用程序控制，**温度可达：1550℃；温度梯度：约5℃/cm。

主要技术参数

1、电源AC 220V   50/60Hz；额定功率：5kW；

2、炉膛尺寸：Φ185mm×185mm；加热区尺寸：150mm；

3、温度控制范围：100～1600℃，控制精度:±1℃，升温速率：10℃/min；

4、报警保护：上、下限，正、负偏差, 断偶等报警；

5、工艺气体：质量流量计，调节范围：0～200sccm一路