用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)、功能材料暗电导和光电导及温度的变化的特性。

1、本底真空度：≤10 Pa，真空可控范围：10～400Pa；

2、衬底加热温度：室温～300℃；

3、测量范围：

电阻率：0.001～200Ω.cm；

电导率：0.005～1000 s/cm；

电阻：0.001～200Ω.cm；

可测晶片直径：200mmX200mm间距：1±0.01mm；

针间绝缘电阻：≥1000MΩ；机械游移率：≤0.3%；

探针：碳化钨或高速钢Ф0.5mm；

探针压力：5～16 牛顿(总力)；

4、恒流源：电流量程分为0.1、1、10、100(mA)四档，各档电流连续可调；误差<±0.5%；

5、数字电压表：量程：0～199.99mV；分辨率：10μV；四位半红色发光管数字显示；输入阻抗>1000MΩ：精度:±0.1%；

6、指针式高阻计：电阻测量范围：1×10⁶～1×10¹⁷Ω；精度：±10%±20%；微电流测试：1×10^-5～1×10^-14A；额定电压：10、100、250、500、

1000V±5%。